收藏本站
型号 SPB17N80C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
SPB17N80C3 PDF
代理商 SPB17N80C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 290 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 177nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2300pF @ 100V
功率 - 最大 227W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 P-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPB17N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
SPB18P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB2 Hammond Manufacturing PANEL SWING KIT
SPB20N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB21N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N10 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N10T Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
SPB21N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
SPB21N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
SPB35N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
SPB35N10 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
SPB35N10T Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK